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SI7430DP-T1-E3 |
PowerPAK? SO-8 | Vishay Siliconix | 9446 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI7430DP-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC 包装数量：1 包装形式：剪切带 (CT) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：150V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：26A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1735pF @ 50V 功率 - 最大值：64W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： D-Sub17EHD-015-S-AA-0-00 铝电容器MVE6.3VE472MM17TR 矩形- 接头，插座801-43-018-10-001000 陶瓷电容器LLA315R71A684MA14L 风扇 - DC4715VL-07W-B89-E50 陶瓷电容器C917U750JZSDCAWL40 陶瓷电容器RPE5C2A4R0C2M1B03A 芯片电阻 - 表面MCT06030D5620BP100 芯片电阻 - 表面MCA12060D1872BP500 通孔电阻器HVR2500007683FR500 |
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